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SBL835	文件：179.09 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30---100V CURRENT:8.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfreewheeling,◇Theplastic	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SBL835	文件：75.14 Kbytes Page：3 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SBL835	文件：82.49 Kbytes Page：2 Pages	LowVFSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotec	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
SBLF835	文件：209.2 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SBM835L	文件：59.44 Kbytes Page：2 Pages	8ALOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications •PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SK835	文件：143.17 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100Volts ForwardCurrent-8.0Amperes FEATURES .PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 .Metalsliiconjunction,majoritycarrietconduction .Guardringforovercoltageprotection .Lowpowerloss,highefficien	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
SK835	文件：800.63 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Forsurfacemountedapplications ♦Lowreverseleakage ♦Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:25	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
SK835L	文件：365.08 Kbytes Page：3 Pages	8.0AmpSchottkyRectifier20to100Volts Features •HighCurrentCapability •LowForwardVoltage •ForSurfaceMountApplication •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailable	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SK835L	文件：993.46 Kbytes Page：4 Pages	8.0AmpSchottkyRectifier20to100Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SK835L	文件：198.05 Kbytes Page：4 Pages	8.0AmpSchottkyRectifier20to100VoltsForSurfaceMountApplication	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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详细参数

型号：
OPA835IDBVR
功能描述：
高速运算放大器 Ultra Low Pwr RRO Neg Rail In VFB Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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