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OPA726	文件：1.13927 Mbytes Page：28 Pages	Very Low Noise, High-Speed, 12V CMOS Operational Amplifier 文件：1.13927 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA726	文件：1.13776 Mbytes Page：28 Pages	Very Low Noise, High-Speed, 12V CMOS Operational Amplifier 文件：1.13776 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA726	文件：458.31 Kbytes Page：20 Pages	Very Low Noise, High-Speed, 12V CMOS Operational Amplifier 文件：458.31 Kbytes 页数：20 Pages	BURR-BROWN	BURR-BROWN
OPA726	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single, 12-V, 20-MHz operational amplifier with shutdown The OPA725 and OPA726 series op amps use a state-of-the-art 12V analog CMOS process, and combine outstanding ac performance with low bias current and excellent CMRR, PSRR, and AOL. The 20MHz Gain-Bandwidth (GBW) Product is achieved by using a proprietary and patent-pending output stage design. These • BANDWIDTH: 20MHz\n• SLEW RATE: 30V/µs\n• FAST 16-Bit SETTLING TIME\n• LOW NOISE: 6nV/Hz (typ) at 100kHz\n• EXCELLENT CMRR, PSRR, and AOL\n• RAIL-TO-RAIL OUTPUT\n• CM RANGE INCLUDES GND\n• THD+N: 0.0003% (typ) at 1kHz\n• QUIESCENT CURRENT: 5.5mA/ch (max)\n• SUPPLY VOLTAGE: 4V to 12V\n• SHUTDOWN;	TI 德州仪器	TI
OPA726AID	文件：458.31 Kbytes Page：20 Pages	Very Low Noise, High-Speed, 12V CMOS Operational Amplifier 文件：458.31 Kbytes 页数：20 Pages	BURR-BROWN	BURR-BROWN
OPA726AID	文件：1.13927 Mbytes Page：28 Pages	Very Low Noise, High-Speed, 12V CMOS Operational Amplifier 文件：1.13927 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA726AIDGKR	文件：1.13927 Mbytes Page：28 Pages	Very Low Noise, High-Speed, 12V CMOS Operational Amplifier 文件：1.13927 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA726AIDGKR	文件：458.31 Kbytes Page：20 Pages	Very Low Noise, High-Speed, 12V CMOS Operational Amplifier 文件：458.31 Kbytes 页数：20 Pages	BURR-BROWN	BURR-BROWN
OPA726AIDGKT	文件：1.13927 Mbytes Page：28 Pages	Very Low Noise, High-Speed, 12V CMOS Operational Amplifier 文件：1.13927 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA726AIDGKT	文件：458.31 Kbytes Page：20 Pages	Very Low Noise, High-Speed, 12V CMOS Operational Amplifier 文件：458.31 Kbytes 页数：20 Pages	BURR-BROWN	BURR-BROWN

技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (Typ) (MHz)：
20
Slew rate (Typ) (V/us)：
30
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
3
Iq per channel (Typ) (mA)：
4.3
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
10
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
4
Features：
Shutdown
Input bias current (Max) (pA)：
200
CMRR (Typ) (dB)：
94
Output current (Typ) (mA)：
40
Architecture：
CMOS

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