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技术参数

Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
0.01
GBW (Typ) (MHz)：
0.55
Features：
Zero Drift
Slew rate (Typ) (V/us)：
0.2
Rail-to-rail：
In to V-
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.001
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.1
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
20
CMRR (Typ) (dB)：
145
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Input bias current (Max) (pA)：
350
Output current (Typ) (mA)：
20
Architecture：
CMOS
THD + N @ 1 kHz (Typ) (%)：
0.035

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