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OPA2822U	文件：542.13 Kbytes Page：27 Pages	Dual,Wideband,Low-NoiseOperationalAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA2822U	文件：936.01 Kbytes Page：33 Pages	Dual,Wideband,Low-NoiseOperationalAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
P2822	文件：190.15 Kbytes Page：6 Pages	POWERLINECARRIERISOLATIONTRANSFORMERS DESCRIPTION ThefamilyoftransformersP2820,P2821,P2822andP2823isspecificallydesignedtoprovidesignalcouplingwithsafetyforPowerlineCarrierapplicationsoverfourbandsfrom40kHzto148.5kHz. Features Lead-free(Pb-free) RoHScompliant Reinforcedinsulation 14.6m	ETAL ETAL Group	ETAL
PJ2822M	文件：393.85 Kbytes Page：8 Pages	DualLow-VoltagePowerAmplifier [PROMAX-JOHNTON] ThePJ2822Misamonolithicintegratedcircuitin8leadMinidippackage.Itisintendedforuseasdualaudiopoweramplifierinportablecassetteplayerandradios. FEATURES •SupplyVoltageDownto1.8V •LowCrossoverDistorsion •LowQuiescentCurrent •B	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PJ2822MCD	文件：393.85 Kbytes Page：8 Pages	DualLow-VoltagePowerAmplifier [PROMAX-JOHNTON] ThePJ2822Misamonolithicintegratedcircuitin8leadMinidippackage.Itisintendedforuseasdualaudiopoweramplifierinportablecassetteplayerandradios. FEATURES •SupplyVoltageDownto1.8V •LowCrossoverDistorsion •LowQuiescentCurrent •B	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PJ2822MCS	文件：393.85 Kbytes Page：8 Pages	DualLow-VoltagePowerAmplifier [PROMAX-JOHNTON] ThePJ2822Misamonolithicintegratedcircuitin8leadMinidippackage.Itisintendedforuseasdualaudiopoweramplifierinportablecassetteplayerandradios. FEATURES •SupplyVoltageDownto1.8V •LowCrossoverDistorsion •LowQuiescentCurrent •B	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
RCR2822	文件：489.44 Kbytes Page：3 Pages	PFMStep-UpDC/DCConverter	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
RFC2822	文件：394.26 Kbytes Page：4 Pages	On-sitewirelesstelephonyonyourIPNetwork	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
SCH2822	文件：67.22 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiodeGeneral-PurposeSwitchingDevice MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithaP-channelsiliconMOSFETandaschottkybarrierdiodecontainedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •2.5Vdri	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SJ2822M	文件：181.18 Kbytes Page：6 Pages	DUALPOWERAMPLIFIER GENERALDESCRIPTION TheSJ2822Misamonolithicintegratedcircuitin8leadMinidippackage.Itisintendedforuseasdualaudio poweramplifierinportablecassettetapeplayersandradios. lFEATURES lDualLow-voltagepoweramplifier lSupplyvoltagedownto1.8V lLowcrossoverdis	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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