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OPA2313IDR	文件：2.5844 Mbytes Page：36 Pages	1-MHz, Micro-Power, Low-Noise, RRIO,1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
OPA2313IDRGR	文件：2.5844 Mbytes Page：36 Pages	1-MHz, Micro-Power, Low-Noise, RRIO,1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
OPA2313IDRGT	文件：2.5844 Mbytes Page：36 Pages	1-MHz, Micro-Power, Low-Noise, RRIO,1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
2313-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2313-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2313-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2313-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2313-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
AM2313	文件：328.43 Kbytes Page：7 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2313isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES -18V/3A, RDS(ON)=120mΩ(MAX)@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mΩ(MAX)@VGS=-2.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ReliableandRugged. AvailableinSOT-23SPackage APPLICATION PowerManag	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
AM2313P	文件：245.35 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelMOSFET TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeHighCellDensityprocess.LowrDS(on)assuresminimalpowerlossandconservesenergy,makingthisdeviceidealforuseinpowermanagementcircuitry.Typicalapplicationsarevoltagecontrolsmallsignalswitch,powermanagementinportableandbatte	AnalogPower Analog Power
AP2313GN-HF	文件：63.3 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
APM2313	文件：153.34 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-1.8A,RDS(ON)=108mΩ(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=135mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremely LowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM2313A	文件：153.34 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-1.8A,RDS(ON)=108mΩ(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=135mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremely LowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM2313AC-TR	文件：153.34 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-1.8A,RDS(ON)=108mΩ(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=135mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremely LowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
ATTINY2313	文件：2.69342 Mbytes Page：211 Pages	8-bitAVRMicrocontrollerwith2KBytesIn-SystemProgrammableFlash TheATtiny2313isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATtiny2313achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptimizepowerconsumptionversusprocess	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313	文件：1.79175 Mbytes Page：223 Pages	8-bitMicrocontrollerwith2KBytesIn-SystemProgrammableFlash TheATtiny2313isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATtiny2313achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptimizepowerconsumptionversusprocess	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313	文件：181.33 Kbytes Page：17 Pages	8-bitMicrocontrollerwith2KBytesIn-SystemProgrammableFlash	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313	文件：3.84916 Mbytes Page：226 Pages	DataandNon-volatileProgramandDataMemories	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313A	文件：635.84 Kbytes Page：20 Pages	8-bitMicrocontrollerwith2/4KBytesIn-SystemProgrammableFlash Overview TheATtiny2313A/4313isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATtiny2313A/4313achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptimizepowercons	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313A-MMH	文件：635.84 Kbytes Page：20 Pages	8-bitMicrocontrollerwith2/4KBytesIn-SystemProgrammableFlash Overview TheATtiny2313A/4313isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATtiny2313A/4313achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptimizepowercons	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司

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详细参数

型号：
OPA2313IDR
功能描述：
运算放大器 - 运放 1MHz Micpwr Lw-Noise RRI/O 1.8-V Op Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	OPA2313IDR	Texas Instruments	23+	8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	OPA2313IDR	TI	2022	SOP8	15150	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市博浩通科技有限公司	OPA2313IDR	TI	23+	SOP8	24150	原装现货特价热销	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	OPA2313IDR	TI/德州仪器	23+	SOIC8	18204	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	OPA2313IDR	TI/德州仪器	21+	SOIC8	2500	原装现货	询价
中科国际电子(深圳)有限公司	OPA2313IDR	TI/德州仪器	22+	SOP-8	7250	原厂原装现货	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	OPA2313IDR	TI/德州仪器	23+	SOIC8	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市纽联电子有限公司	OPA2313IDR	TI/德州仪器	SOP-8	2021+	77700	热销型号原装现货自家库存	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	OPA2313IDR	TI/德州仪器	21+	SOP-8	9800	只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	OPA2313IDR	TI	22+	SOP8	65568	代理授权直销,原装现货,长期稳定供应	询价

更多OPA2313IDR供应商更新时间2024-4-26 20:22:00

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