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OPA2191IDR	文件：3.2545 Mbytes Page：51 Pages	36-V, Low Power, Precision, CMOS, Rail-to-Rail Input/Output, Low Offset Voltage, Low Input Bias Current Op Amp	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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OPA2191IDR	文件：3.32663 Mbytes Page：52 Pages	36-V, Low Power, Precision, CMOS, Rail-to-Rail Input/Output, Low Offset Voltage, Low Input Bias Current Op Amp	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA2191IDR	文件：3.50691 Mbytes Page：53 Pages	丝印：2191；Package：SOIC；OPAx191 36-V, Low Power, Precision, CMOS, Rail-to-Rail Input/Output, Low Offset Voltage, Low Input Bias Current Op Amp	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA2191IDR	文件：3.65512 Mbytes Page：56 Pages	丝印：2191；Package：SOIC；OPAx191 36-V, Low Power, Precision, CMOS, Rail-to-Rail Input/Output, Low Offset Voltage, Low Input Bias Current Op Amp	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA2191IDR	文件：4.02874 Mbytes Page：57 Pages	丝印：2191；Package：SOIC；OPAx191 36-V, Low-Power, Precision, CMOS, Rail-to-Rail Input/Output, Low Offset Voltage, Low Input Bias Current Op Amp	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA2191IDR	文件：5.06313 Mbytes Page：59 Pages	丝印：2191；Package：SOIC；OPAx191 36-V, Low-Power, Precision, CMOS, Rail-to-Rail Input/Output, Low Offset Voltage, Low Input Bias Current Op Amp	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

技术参数

Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
0.025
GBW (Typ) (MHz)：
2.5
Features：
EMI Hardened
Slew rate (Typ) (V/us)：
5.5
Rail-to-rail：
In
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.1
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.14
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
15
CMRR (Typ) (dB)：
140
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Input bias current (Max) (pA)：
20
Output current (Typ) (mA)：
65
Architecture：
CMOS
THD + N @ 1 kHz (Typ) (%)：
0.0012

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