OP558/A规格书应用电路供应商报价第7页-114ic电子网

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SZ558C	文件：147.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.9to200Volts	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
TLP558	文件：215.78 Kbytes Page：7 Pages	IsolatedBusDriverHighSpeedLineReceiverMicroprocessorSystemInterfacesMOSFETGateDriverTransistorInverter IsolatedBusDriver HighSpeedLineReceiver MicroprocessorSystemInterfaces MOSFETGateDriver TransistorInverter TheTOSHIBATLP558consistsofaninfraredemittingdiodeandintegratedhighgain,highspeedphotodetector. Thisunitis8-leadDIPpackage. Thedetectorhasathreestate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TLP558	文件：218.34 Kbytes Page：7 Pages	MicroprocessorSystemInterfaces	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
WPJ558	文件：2.22525 Mbytes Page：6 Pages	Multi-functionQCA9558EmbeddedBoardwithon-boardWireless	COMPEXCompex Systems Pte. Lte. 复合系统私人复合系统私人有限公司有限公司	COMPEX
ZTX558	文件：62.67 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES 400VoltVCEO 200mAcontinuouscurrent *Ptot=1Watt	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZTX558	文件：51.53 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES 400VoltVCEO 200mAcontinuouscurrent *Ptot=1Watt	ZetexZetex Semiconductors 捷特科半导体	Zetex
ZXTP558L	文件：234.3 Kbytes Page：5 Pages	400VPNPMEDIUMPOWERHIGHVOLTAGETRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>400V •PowerdissipationPD=1W •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXTP558LSTZ	文件：234.3 Kbytes Page：5 Pages	400VPNPMEDIUMPOWERHIGHVOLTAGETRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>400V •PowerdissipationPD=1W •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

详细参数

型号：
OP558/A
功能描述：
MOSFET OP558/UNCASED/FOIL//A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多OP558/A供应商更新时间2024-6-18 16:06:00

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