11.3 Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI

1FEATURES • 9 GHz Bandwidth • 2.4 kΩ Differential Small Signal Transimpedance • -20dBm Sensitivity • 0.95 μARMS Input Referred Noise • 2.5 mAPP Input Overload Current • Received Signal Strength Indication (RSSI) • 90 mW Typical Power Dissipation • CML Data Outputs with On-Chip 50Ω Back-Te

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1FEATURES • 9 GHz Bandwidth • 2.4 kΩ Differential Small Signal Transimpedance • -20dBm Sensitivity • 0.95 μARMS Input Referred Noise • 2.5 mAPP Input Overload Current • Received Signal Strength Indication (RSSI) • 90 mW Typical Power Dissipation • CML Data Outputs with On-Chip 50Ω Back-Te

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1FEATURES • 9 GHz Bandwidth • 2.4 kΩ Differential Small Signal Transimpedance • -20dBm Sensitivity • 0.95 μARMS Input Referred Noise • 2.5 mAPP Input Overload Current • Received Signal Strength Indication (RSSI) • 90 mW Typical Power Dissipation • CML Data Outputs with On-Chip 50Ω Back-Te

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具有 RSSI 的 9GHz、2.4kΩ 跨阻放大器

ONET8521T 是一款高速限幅互阻抗放大器，适用于数据传输速率高达 11.3 Gbps 的光电接收器。 它特有低输入参考噪声、9 GHz 带宽、2.4 kΩ 小信号互阻抗以及接收信号强度指示 (RSSI)。 ONET8541T 采用模具成型方式, 包括一个片载 VCC 旁路电容器并且非常适合封装在 TO 罐内。 ONET8521T 要求 3.3 V ±10% 单电源供电，其高功效设计使其典型耗散少于90mW。 该器件可在 –40°C 至 100°C （IC 背面）环境下平稳工作。 • 9 GHz 带宽\n• 2.4 kΩ 差分小信号互阻抗\n• -20dBm 敏感度\n• 0.95 µARMS 输入参考噪音\n• 2.5 mAPP 输入过载电流\n• 接收信号强度指示 (RSSI)\n• 90 mW 典型功率耗散\n• 支持片载 50 Ω 背向端接的 CML 数据输出\n• 片载电源滤波器电容器\n• 3.3 V 单电源\n• 模具尺寸: 870 µm × 1036 μm;

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