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P3622	文件：103.98 Kbytes Page：1 Pages	POTTYPECORES	YUXIANG YUXIANG Magnetc materials Ind. Co., Ltd.	YUXIANG
PST3622NR	文件：155.25 Kbytes Page：20 Pages	ICforCMOSSystemReset	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
PST3622UR	文件：155.25 Kbytes Page：20 Pages	ICforCMOSSystemReset	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
STS3622	文件：799.26 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-26package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS3622	文件：521.62 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TF3622	文件：1.6872 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTF3622usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=30V,ID=25A RDS(ON)=	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TF3622DS	文件：3.37271 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheTF3622DSisthehighestperformance trenchN-chMOSFETwithextremehighcell density,whichprovideexcellentRDSONand gatechargensformostofthesynchronous buckconverterapplications. TheTF3622DSmeettheRoHSandGreen Productrequirement,100EASguarante	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
VS3622AD	文件：1.1436 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
VS3622AE	文件：1.37936 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
WWSSD3622	文件：170.88 Kbytes Page：3 Pages	WorkWiseHeight-AdjustableSit-StandDesktopWorkstation,36x22in.MonitorPlatform	TRIPPLITE Tripp Lite. All Rights Reserved	TRIPPLITE
XLMG3622REQT	文件：1.2679 Mbytes Page：29 Pages	LMG3622650-V120-mΩGaNFETWithIntegratedDriverandCurrent-SenseEmulation 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •Current-senseemulationwithhighbandwidthand highaccuracy •Cycle-by-cycleovercurrentprotection •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
XLMG3622REQT	文件：1.33869 Mbytes Page：30 Pages	LMG3622650-V120-mΩGaNFETWithIntegratedDriverandCurrent-SenseEmulation 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •Current-senseemulationwithhighbandwidthand highaccuracy •Cycle-by-cycleovercurrentprotection •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
YJQ3622A	文件：368.9 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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