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NXV100XP	文件：269.27 Kbytes Page：12 Pages	Marking：5P；Package：SOT23；30 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology 3.Applications •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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更多NXV100XP供应商更新时间2025-5-10 10:34:00

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