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NXV100XP	文件：269.27 Kbytes Page：12 Pages	丝印：5P；Package：SOT23；30 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET technology 3. Applications • 文件：269.27 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NXV100XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology;	Nexperia 安世	Nexperia
OA100	文件：41.79 Kbytes Page：1 Pages	JEDEC DO-7 PACKAGE JEDEC DO-7 PACKAGE 文件：41.79 Kbytes 页数：1 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
OA-100	文件：50.75 Kbytes Page：3 Pages	1/2 Disc Thermostats - Automatic Reset 文件：50.75 Kbytes 页数：3 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
OA-100-QC	文件：50.75 Kbytes Page：3 Pages	1/2 Disc Thermostats - Automatic Reset 文件：50.75 Kbytes 页数：3 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-30
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
140
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
220
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-1.5
QGD [typ] (nC)：
1.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
4.2
Ptot [max] (W)：
0.34
VGSth [typ] (V)：
-0.6
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
354
Coss [typ] (pF)：
39
Release date：
2021-02-12

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	NXV100XP	NK/南科功率	2025+	SOT23	3200	国产南科平替供应大量	询价
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深圳市亚泰盈科电子有限公司	NXV10V160ST1	onsemi	2025+	APM-21	55740		询价
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