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NXPSC20650W-A数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

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厂商型号

NXPSC20650W-A

参数属性

NXPSC20650W-A 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE

功能描述

Silicon Carbide Power Diode
SILICON CARBIDE POWER DIODE

封装外壳

TO-247-3

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名称

瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:02:00

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NXPSC20650W-A规格书详情

描述 Description

Dual Silicon Carbide Schottky diode in a 3-lead TO-247 plastic package, designed for high frequency switched-mode power supplies. This product is qualified to AEC-Q101 standard for use in automotive applications.

特性 Features

• Highly stable switching performance
• High forward surge capability IFSM
• Extremely fast reverse recovery time
• Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives
• Reduced losses in associated MOSFET
• Reduced EMI
• Reduced cooling requirements
• RoHS compliant
• AEC-Q101 compliant
• High junction operating temperature capability (Tj(max) = 175 °C)

应用 Application

• Power factor correction
• Telecom / Server SMPS
• UPS
• PV inverter
• PC Silverbox
• LED / OLED TV
• Motor Drives

简介

NXPSC20650W-A属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的NXPSC20650W-A二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NXPSC20650W-AQ

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    管件

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    20A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    SILICON CARBIDE POWER DIODE

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