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NXPSC20650W数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF
| 厂商型号 |
NXPSC20650W |
| 参数属性 | NXPSC20650W 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：SILICON CARBIDE POWER DIODE |
| 功能描述 | Silicon Carbide diodes |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | WeEn WeEn Semiconductors |
| 中文名称 | 瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 17:05:00 |
| 人工找货 | NXPSC20650W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NXPSC20650W规格书详情
描述 Description
Dual Silicon Carbide Schottky diode in a 3-lead TO-247 plastic package, designed for high frequency switched-mode power supplies
特性 Features
• Highly stable switching performance
• High forward surge capability IFSM
• Extremely fast reverse recovery time
• Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives
• Reduced losses in associated MOSFET
• Reduced EMI
• Reduced cooling requirements
• RoHS compliant
应用 Application
• Power factor correction
• Telecom / Server SMPS
• UPS
• PV inverter
• Electrical Vehicle Charger
• Motor Drives
简介
NXPSC20650W属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的NXPSC20650W二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。
技术参数
更多- 制造商编号
：NXPSC20650W
- 生产厂家
：WeEn
- Package name
：TO-247
- Product status
：Production
- IF(AV) [max]
：20
- Tj [max]
：175
- VRRM [max]
：650
- VF [typ] @ Tj = 25 °C
：1.5
- @ IF
：10
- Qr [typ]
：14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT617 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
QFP |
12000 |
原装正品 有挂就有货 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
N/A |
12245 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT617 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT617 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
QFP |
98900 |
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询价 | ||
恩XP |
22+ |
32VFQFN |
9000 |
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询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT617 |
12000 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
QFP |
996880 |
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询价 |
