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NXPSC10650X

SiC Diode

DESCRIPTION · High forward surge capability IFSM · Extremely fast reverse recovery time · Reduced losses APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Motor Drives · LED / OLED TV

文件:268.39 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NXPSC10650X

Silicon Carbide Diode

文件:261.74 Kbytes 页数:10 Pages

WEEN

瑞能半导体

NXPSC10650X

Silicon Carbide diodes

Silicon Carbide Schottky diode in a TO220F-2L plastic package, designed for high frequency switched-mode power supplies\n • Highly stable switching performance\n• Extremely fast reverse recovery time\n• Reduced losses in associated MOSFET\n• Reduced cooling requirements\n• Insulated package rated at 2500V RMS\n;

WeEn

瑞能半导体

NXPSC10650X6Q

Package:TO-220-2 全封装,隔离接片;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220F

WEEN

瑞能半导体

NXPSC10650XQ

Package:TO-220-2 全封装,隔离接片;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220F

WEEN

瑞能半导体

技术参数

  • Package name:

    TO220FP

  • Product status:

    Production

  • IF(AV) [max]:

    10

  • Tj [max]:

    175

  • VRRM [max]:

    650

  • VF [typ] @ Tj = 25 °C:

    1.5

  • @ IF:

    10

  • Qr [typ]:

    15

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NXPSC10650X供应商 更新时间2025-12-15 13:01:00