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NXPSC08650D

Silicon Carbide diodes

Silicon Carbide Schottky diode designed for high frequency switched mode power supplies in a TO252 (DPAK) plastic package • Highly stable switching performance\n• High forward surge capability IFSM\n• Extremely fast reverse recovery time\n• Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives\n• Reduced losses in associated MOSFET\n• Reduced EMI\n• Reduced cooling requirements\n• RoHS compliant;

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瑞能半导体

NXPSC08650D

Silicon Carbide Diode

文件:271.59 Kbytes 页数:10 Pages

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瑞能半导体

NXPSC08650D6J

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK

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瑞能半导体

NXPSC08650DJ

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK

WEEN

瑞能半导体

技术参数

  • Package name:

    DPAK

  • Product status:

    Production

  • IF(AV) [max]:

    8

  • Tj [max]:

    175

  • VRRM [max]:

    650

  • VF [typ] @ Tj = 25 °C:

    1.5

  • @ IF:

    8

  • Qr [typ]:

    13

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更多NXPSC08650D供应商 更新时间2025-10-11 11:00:00