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NXH240B120H3Q1PG	文件：1.9612 Mbytes Page：15 Pages	丝印：NXH240B120H3Q1PG；Package：PIM32；3 Channel Q1 BOOST Module The NXH240B120H3Q1PG is a case power module containing a three channel BOOST stage. The integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability. Features • 1200 V Ultra Fie 文件：1.9612 Mbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NXH240B120H3Q1PG	文件：1.81313 Mbytes Page：14 Pages	丝印：NXH240B120H3Q1PG；Package：Q1BOOST,Case180AX；3 Channel Q1 BOOST Module 文件：1.81313 Mbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NXH240B120H3Q1PG-R	文件：1.9612 Mbytes Page：15 Pages	丝印：NXH240B120H3Q1PG-R；Package：PIM32；3 Channel Q1 BOOST Module The NXH240B120H3Q1PG is a case power module containing a three channel BOOST stage. The integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability. Features • 1200 V Ultra Fie 文件：1.9612 Mbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NXH240B120H3Q1PG_V01	文件：1.9612 Mbytes Page：15 Pages	3 Channel Q1 BOOST Module The NXH240B120H3Q1PG is a case power module containing a three channel BOOST stage. The integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability. Features • 1200 V Ultra Fie 文件：1.9612 Mbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NXH240B120H3Q1PG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NXH240B120H3Q1PG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
托盘
IGBT 类型：
沟槽型场截止
配置：
三，双 - 共源
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，80A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
是
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
32-PIM（71x37.4）
描述：
PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NXH240B120H3Q1PG供应商更新时间2025-11-30 8:00:00

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