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NX7563JB-BC

LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION

DESCRIPTION The NX7563JB-BC is a 1 550 nm Multiple Quantum Well (MQW) structure pulsed laser diode DIP module with single mode fiber and internal thermoelectric cooler. It is designed for light sources of optical measurement equipment (OTDR). FEATURES • High output power Pf = 135 mW MIN. @ IFP

文件:160.24 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

NX7563JB-BC

InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION

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CEL

NX7563JB-BC_15

LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION

文件:152.99 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

NX7563JB-BC-AZ

InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION

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CEL

NX7563JB-BC

Optoelectronics

Renesas

瑞萨

NX7563JB-BC-AZ

Package:14-DIP 模块;包装:散装 类别:光电器件 激光二极管,模块 描述:LASER DIODE 1550NM 135MW 14DIP

CEL

CEL

技术参数

  • Target application:

    for OTDR

  • Tc (℃) min.:

    -20

  • Tc (℃) max.:

    65

  • Tstg (°C) min.:

    -40

  • Tstg (°C) max.:

    70

  • Ith (mA) typ.:

    40

  • λc (nm) typ.:

    1550

  • Pf (mW)/Po (mW) min.:

    135

  • Production Status:

    Mass Production

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更多NX7563JB-BC供应商 更新时间2025-10-5 9:11:00