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NX7363JB-BC

LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION

DESCRIPTION The NX7363JB-BC is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structure pulsed laser diode DIP module with single mode fiber and internal thermoelectric cooler. It is designed for light sources of optical measurement equipment (OTDR). FEATURES • High output power Pf = 150 mW MIN. @ IFP

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RENESAS

瑞萨

NX7363JB-BC

InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION

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CEL

NX7363JB-BC_15

LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION

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RENESAS

瑞萨

NX7363JB-BC-AZ

InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION

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CEL

NX7363JB-BC

Optoelectronics

Renesas

瑞萨

NX7363JB-BC-AZ

Package:14-DIP 模块;包装:散装 类别:光电器件 激光二极管,模块 描述:LASER DIODE 1310NM 150MW 14DIP

CEL

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技术参数

  • Target application:

    for OTDR

  • Tc (℃) min.:

    -20

  • Tc (℃) max.:

    65

  • Tstg (°C) min.:

    -40

  • Tstg (°C) max.:

    70

  • Ith (mA) typ.:

    35

  • λc (nm) typ.:

    1310

  • Pf (mW)/Po (mW) min.:

    150

  • Production Status:

    Mass Production

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更多NX7363JB-BC供应商 更新时间2025-10-5 23:00:00