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NX6508GH61	文件：258.43 Kbytes Page：9 Pages	LASER DIODE 1470TO1610nmFOR2.5Gb/s,CWDM InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6508Seriesisa1470to1610nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. Thesedevicesareidealfor2.5Gb/sCWDMapplication. FEATURES •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NX6508GH61

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LASER DIODE

1470TO1610nmFOR2.5Gb/s,CWDM InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6508Seriesisa1470to1610nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. Thesedevicesareidealfor2.5Gb/sCWDMapplication. FEATURES •

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更多NX6508GH61供应商更新时间2024-5-13 16:22:00

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