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THN6301KF	文件：206.98 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6301KF	文件：221.65 Kbytes Page：11 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.1dBatf=1GHz,VCE=8V,IC=5mA oHighPowerGain MAG=18dBatf=1GHz,VCE=8V,IC=15mA oHighTransitionFrequency fT=10GHzatVCE=8V,IC=15mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
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THN6301U	文件：206.98 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6301U	文件：104 Kbytes Page：10 Pages	NPNPlanerRFTRANSISTOR [TachyonicsCO,.LTD] □Features oLowNoiseFigure NF=1.1dBTyp.@f=1GHz,VCE=8V,IC=5mA oHighPowerGain MAG=18dBTyp.@f=1GHz,VCE=8V,IC=15mA oHighTransitionFrequency fT=10GHzTyp.@VCE=8V,IC=15mA □Application LNAandwidebandampli	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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详细参数

型号：
NX6301SH
制造商：
CEL
制造商全称：
CEL
功能描述：
1310 nm InGaAsP MQW DFB LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR 155 Mb/s AND 622 Mb/s APPLICATIONS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NX6301SH供应商更新时间2025-5-22 8:02:00

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