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NX3020NAKS	文件：720.62 Kbytes Page：15 Pages	丝印：Ua；Package：SOT363；30 V, 180 mA dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ESD protection • Low 文件：720.62 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3020NAKS	文件：287.91 Kbytes Page：15 Pages	丝印：Ua*；Package：SOT-363；30 V, 180 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：287.91 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
NX3020NAKS	文件：287.91 Kbytes Page：15 Pages	丝印：Ua*；Package：SOT-363；30 V, 180 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：287.91 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
NX3020NAKS-TP	文件：2.01275 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET Application « Reverse Battery protection » Load switch « Power management » Motor Control 文件：2.01275 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NX3020NAKS_15	文件：287.91 Kbytes Page：15 Pages	30 V, 180 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：287.91 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
NX3020NAKS	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 180 mA dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ESD protection\n• Low threshold voltage;	Nexperia 安世	Nexperia
NX3020NAKS-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TSSOP6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
4500
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
5200
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
13000
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.18
QGD [typ] (nC)：
0.06
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.34
Ptot [max] (W)：
0.26
VGSth [typ] (V)：
1.2
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
13
Coss [typ] (pF)：
2.6000001
Release date：
2012-07-16

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