NX1029X数据手册Nexperia中文资料规格书
NX1029X规格书详情
描述 Description
Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic-level compatible
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• ESD protection up to 2 kV (N-channel) and 1 kV (P-channel)
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Level shifter
• Power supply converter
• Load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：NX1029X
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT666
- Product status
：Production
- Channel type
：N/P
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：60
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：1600
- RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)
：2000
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：0.33
- QGD [typ] (nC)
：0.1
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.5
- Ptot [max] (W)
：0.33
- VGSth [typ] (V)
：1.6
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：33
- Coss [typ] (pF)
：7
- Release date
：2011-08-12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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标准 |
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