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NVTJD4001N	文件：72.54 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：72.54 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTJD4001NT1G	文件：72.54 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：72.54 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTJD4001N	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，小信号 MOSFET，30V，250mA，1.5Ω Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 30V, 250mA, 1.5 Ohm, Dual N-Channel SC−88, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low Gate Charge for Fast Switching\n• Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
OG4001	文件：146.77 Kbytes Page：2 Pages	40AMP Power Pack GPP Standard Rectifiers 文件：146.77 Kbytes 页数：2 Pages	FCI 富加宜	FCI
OLPG4001	文件：98.06 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION PLASTIC RECTIFIER 文件：98.06 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
OLPG4001S	文件：98.55 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION PLASTIC RECTIFIER 文件：98.55 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
1.5
ID Max (A)：
0.25
PD Max (W)：
0.272
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.9
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
0.9
Ciss Typ (pF)：
20
Package Type：
SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	NVTJD4001N	ON	23+	SOT-363-6	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市赛特兴科技有限公司	NVTJD4001N	ON	23+	SOT-363-6	18000	正规渠道,只有原装!	询价
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深圳深宇韬电子科技有限公司	NVTJD4001N	ON	2023+	SOT-363-6	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
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深圳市纳立科技有限公司	NVTJD4001NT2G		三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	NVTJD4001NT1G	ON/安森美	24+	SOT363	98000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市百诺芯科技有限公司	NVTJD4001NT1G	ON/安森美	23+	NA	12730	原装正品代理渠道价格优势	询价

更多NVTJD4001N供应商更新时间2026-2-2 13:01:00

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