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NVTFS4C05N	文件：85.45 Kbytes Page：6 Pages	Single N- Channel Power MOSFET 文件：85.45 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFS4C05NTAG	文件：85.45 Kbytes Page：6 Pages	Single N- Channel Power MOSFET 文件：85.45 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NVTFS4C05N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道功率 MOSFET 30V，102A，3.6mΩ Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low On-Resistance\n• Minimizes Conduction Losses\n• Low Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge\n• Minimize Switching Losses\n• AEC-Q101 Qualified and PPAP capable\n• Suitable for Automotive Applications\n• NVTFS4C05NWF − Wettable Flanks Product\n• Enhanced Optical Inpsectio;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
102
PD Max (W)：
68
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
5.1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.6
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
31
Ciss Typ (pF)：
1988
Package Type：
WDFN-8/u8FL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NVTFS4C05N供应商更新时间2026-1-29 15:01:00

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