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NVTFS4823N	文件：121.35 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：121.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFS4823N	文件：118.51 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30 V, 10.5 m, 30 A, Single N?묬hannel 文件：118.51 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NVTFS4823NTAG	文件：118.51 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30 V, 10.5 m, 30 A, Single N?묬hannel 文件：118.51 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFS4823NTAG	文件：121.35 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：121.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFS4823NTWG	文件：121.35 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：121.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NVTFS4823NWFTAG	文件：121.35 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：121.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NVTFS4823N	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，30V，30A，10.5 mΩ，单 N 沟道，u8FL，逻辑电平适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。 • Low on resistance\n• Minimal conduction losses\n• Low Qg\n• Minimal switching losses\n• 100% avalanche tested\n• Safeguards against voltage overstress failures\n• AEC-Q101 qualified\n• Suitable for automotive applications;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
30
PD Max (W)：
21
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
17.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
10.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
12
Ciss Typ (pF)：
750
Package Type：
WDFN-8/u8FL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	NVTFS4823N	ON/安森美	23+	DFN33-8-EP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多NVTFS4823N供应商更新时间2026-1-26 11:00:00

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