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NVTFS014P04M8L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mΩ, -49 A; • Small Footprint (3x3 mm)\n• Compact Design\n• Low On-Resistance\n• Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• NVTFS5C453NLWF − Wettable Flanks Product\n• Enhanced Optical Inspection\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• Suitable for Automotive Applications\n• RoHS Compliant\n; Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS014P04M8L	文件：229.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single, P-Channel -40 V, 13.8 m, -49 A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS014P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS014P04M8LTAG	文件：229.69 Kbytes Page：7 Pages	丝印：014M；Package：WDFN8；MOSFET ??Power, Single, P-Channel -40 V, 13.8 m, -49 A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS014P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFWS014P04M8LTAG	文件：229.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,Single,P-Channel-40V,13.8m,-49A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS014P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS014P04M8L	文件：337.37 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleP-Channel−40V,13.5m,−53A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS014P04M8LTWG	文件：337.37 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleP-Channel−40V,13.5m,−53A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-40
VGS Max (V)：
±16
VGS(th) Max (V)：
-2.4
ID Max (A)：
-49
PD Max (W)：
61
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
18.7
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
13.8
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
12.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
26.5
Ciss Typ (pF)：
1734
Package Type：
WDFN-8/u8FL

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