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ZXMP6A13FTA	文件：210.02 Kbytes Page：8 Pages	60VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMP6A13FTA	文件：300.18 Kbytes Page：8 Pages	60VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMP6A13FTA	文件：212.49 Kbytes Page：7 Pages	60VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMP6A13FTA	文件：1.19791 Mbytes Page：14 Pages	XTR111DemonstrationFixtureUsersGuide 2HardwareFeatures ThissectiondescribesthehardwarefeaturesfoundontheXTR111EVM. 2.1XTR111EVM TheXTR111EVMisusedforthebasicfunctionalevaluationoftheXTR111.TheEVMprovidesthe followingfeatures: •EasyhandlingofthesmallDFNpackage.TheDFNdeviceisalreadysoldered	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ZXMP6A13FTA	文件：1.12034 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable RoHS* COMPLIANT	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ZXMP6A13FTC	文件：1.13013 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ZXMP6A13FTC	文件：212.49 Kbytes Page：7 Pages	60VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMP6A13FTC	文件：210.02 Kbytes Page：8 Pages	60VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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更多NVS6A13A供应商更新时间2025-7-15 15:30:00

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