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NVR1P02	文件：91.21 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：91.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVR1P02	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道，功率 MOSFET，-20V，-1A，180mΩ Automotive Power MOSFET. -20V, -1A, 180 mOhm, Single P-Channel, SOT-23. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Ultra Low On−Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life - RDS(on) = 180 mΩ @ VGS = -10 V - RDS(on) = 280 mΩ @ VGS = -4.5 V\n• Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space\n• AEC-Q101 qualified and PPAP capable\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVR1P02T1G	文件：465.39 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：465.39 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NVR1P02T1	文件：135.04 Kbytes Page：5 Pages	??0 V, ?? A, P?묬hannel SOT??3 Package 文件：135.04 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVR1P02T1G	文件：135.04 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：135.04 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVR1P02T1G	文件：91.21 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：91.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-2.3
ID Max (A)：
1
PD Max (W)：
0.4
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
280
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
180
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
2.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
2.5
Ciss Typ (pF)：
165
Package Type：
SOT-23-3

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更多NVR1P02供应商更新时间2026-1-25 11:10:00

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