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APM2030NVC-TRL	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NVC-TU	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NVC-TUL	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
AV2030	文件：195.29 Kbytes Page：13 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheAVICAV2030isamonolithicaudiopoweramplifierintegratedcircuit. FEATURES Verylowexternalcomponentrequired. Highcurrentoutputandhighoperatingvoltage. Lowharmonicandcrossoverdistortion. Built-inOvertemperatureprotection. *Shortc	AVICTEKAvic Technology AvicTechnology	AVICTEK
BF2030	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF2030	文件：16.47 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5V) •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF2030	文件：118.38 Kbytes Page：11 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF2030R	文件：118.38 Kbytes Page：11 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF2030R	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF2030W	文件：16.45 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5V) •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF2030W	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF2030W	文件：118.38 Kbytes Page：11 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CDBD2030-G	文件：106.7 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBD2030-HF	文件：106.63 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDSUA2030-C	文件：177.86 Kbytes Page：2 Pages	CDSUASeries	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CDSUA2030-C	文件：239.09 Kbytes Page：2 Pages	CDSUASeries	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CDSUA2030-C-S	文件：177.86 Kbytes Page：2 Pages	CDSUASeries	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CEM2030A	文件：847.1 Kbytes Page：9 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■20V,6A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■-20V,-4.3A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CGY2030M	文件：93.68 Kbytes Page：12 Pages	DECT500mWpoweramplifier GENERALDESCRIPTION TheCGY2030MisaGaAsMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)poweramplifierspecificallydesignedtooperateat3.6Vbatterysupply.Whenpowercontrolisnotrequired,itcanbeoperatedwithoutnegativesupplyvoltage. FEATURES •PowerAmplifier(PA)overalleff	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
CHM2030JPT	文件：322.86 Kbytes Page：3 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE20VoltsCURRENT6Ampere P-channel:VOLTAGE20VoltsCURRENT4.3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomoto	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	NVP2030	NEXTCHIP	2016+	LQFP64	6523	只做原装正品现货!或订货!	询价
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	NVP2030	NEXTCHIP		BGA324	3200	原厂旗下一级分销商!原装正品现货!假一罚十!	询价
深圳市芯祺盛科技有限公司	NVP2030	NEXTCHI	1802+	QFP	3560	只做原装!天天特价!欢迎随时咨询!	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	NVP2030	NEXTCHIP	21+	QFP	19000	只做正品原装现货	询价
深圳兆威电子有限公司	NVP2030	-	23+	QFP64	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
艾睿国际（香港）有限公司	NVP2030	NEXTCHIP	2021+	LQFP-48	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市福田区亿兴成电子商行	NVP2030	NEXTCHIP		QFP	6698		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NVP2030	NEXTCHIP	23+	LQFP64	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NVP2030	NEXTCHI	21+	QFP	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳廊盛科技有限公司	NVP2030	NEXTCHIP	2022	LQFP64	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价

更多NVP2030供应商更新时间2024-6-19 19:47:00

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