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NVMYS5D3N04C中文资料功率 MOSFET，40 V，5.3Ω，68 A，单 N 沟道数据手册ONSEMI规格书
NVMYS5D3N04C规格书详情
描述 Description
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.
技术参数
- 制造商编号
：NVMYS5D3N04C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3.5
- ID Max (A)
：68
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：5.3
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：15
- Ciss Typ (pF)
：1000
- Package Type
：LFPAK-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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