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NVMYS2D9N04CL中文资料功率 MOSFET,40 V,2.8 mΩ,110 A,单 N 沟道数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVMYS2D9N04CL

功能描述

功率 MOSFET,40 V,2.8 mΩ,110 A,单 N 沟道

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:04:00

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NVMYS2D9N04CL规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

技术参数

  • 制造商编号

    :NVMYS2D9N04CL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :110

  • PD Max (W)

    :68

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :4.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :16

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :35

  • Ciss Typ (pF)

    :2100

  • Package Type

    :LFPAK-4

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