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NVMYS3D3N06CLTWG中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NVMYS3D3N06CLTWG

功能描述

MOSFET ??Power, Single N-Channel 60 V, 3.0 m, 133 A

丝印标识

3D3N06CL

封装外壳

LFPAK4

文件大小

342.07 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-23 23:01:00

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NVMYS3D3N06CLTWG规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• LFPAK4 Package, Industry Standard

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

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