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NVMYS010N04CL	文件：339.45 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 10.3 m, 38 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • LFPAK4 Package, Industry Standard • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：339.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMYS010N04CLTWG	文件：339.45 Kbytes Page：7 Pages	丝印：010N04CL；Package：LFPAK4；MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 10.3 m, 38 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • LFPAK4 Package, Industry Standard • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：339.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMYS010N04CL	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，40 V，10Ω，38 A，单 N 沟道 Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTYS010N04C	文件：336.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 12 m, 38 A Features • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：336.85 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTYS010N04CL	文件：332.09 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 9.5 m, 43 A Features • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：332.09 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTYS010N04CLTWG	文件：332.09 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 9.5 m, 43 A Features • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：332.09 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
38
PD Max (W)：
28
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
17.1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
10
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
3.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
7.3
Ciss Typ (pF)：
570
Package Type：
LFPAK-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NVMYS010N04CL	ON	2022+	LFPAK-4	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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