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NVMTS0D6N04C数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

NVMTS0D6N04C

参数属性

NVMTS0D6N04C 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

功能描述

Single N-Channel Power MOSFET 40V, 378A, 0.48mΩ
T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 15:16:00

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NVMTS0D6N04C规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Wettable Flank capable for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Small Footprint (8x8 mm)
• Compact Design
• Low RDS(on)
• Minimize Conduction Losses
• Low QG and Capacitance
• Minimize Driver Losses
• Wettable Flank Option
• Enhanced Optical Inspection
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• Automotive qualified
• RoHS Compliant

应用 Application

• Reverser Battery protection
• Switching power supplies
• Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
• Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
• Load Switch – ECU, Chassis, Body

简介

NVMTS0D6N04C属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NVMTS0D6N04C晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NVMTS0D6N04C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :468

  • PD Max (W)

    :205.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :0.48

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :187

  • Ciss Typ (pF)

    :11800

  • Package Type

    :DFNW-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
NA/
8735
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onsemi(安森美)
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ON/安森美
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ON/安森美
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