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NVMS10P02R2G数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

NVMS10P02R2G

参数属性

NVMS10P02R2G 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

功能描述

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 17:10:00

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NVMS10P02R2G规格书详情

简介

NVMS10P02R2G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NVMS10P02R2G晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NVMS10P02R2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    P 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    10A(Ta)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 描述:

    MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
SOP8
1961
原装现货假一赔十
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