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NVMFS9D6P04M8L	文件：136.95 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single P-Channel -40 V, 9.5 m, -77 A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS9D6P04M8LïWettableFlanksProduct •AECïQ101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePbïFree,HalogenFree/BFRïFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS9D6P04M8LT1G	文件：136.95 Kbytes Page：7 Pages	Marking：V9D6PL；Package：DFNW5；MOSFET - Power, Single P-Channel -40 V, 9.5 m, -77 A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS9D6P04M8LïWettableFlanksProduct •AECïQ101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePbïFree,HalogenFree/BFRïFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS9D6P04M8L	文件：226.01 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleP-Channel-40V,9.5m,-64A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS9D6P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS9D6P04M8LTAG	文件：226.01 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleP-Channel-40V,9.5m,-64A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS9D6P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFWS9D6P04M8LTAG	文件：226.01 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleP-Channel-40V,9.5m,-64A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS9D6P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS9D6P04M8L	文件：337.57 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleP-Channel-40V,9.6m,-71A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS9D6P04M8LTWG	文件：337.57 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleP-Channel-40V,9.6m,-71A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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