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NVTFS9D6P04M8L分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NVTFS9D6P04M8L |
| 参数属性 | NVTFS9D6P04M8L 包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个；产品描述：MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
| 功能描述 | MOSFET - Power, Single P-Channel -40 V, 9.5 m, -64 A |
| 文件大小 |
226.01 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-6 22:59:00 |
NVTFS9D6P04M8L规格书详情
Features
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• NVTFWS9D6P04M8L − Wettable Flanks Product
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR−Free and are RoHS Compliant
NVTFS9D6P04M8L属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。安森美半导体公司制造生产的NVTFS9D6P04M8L晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
产品属性
- 产品编号：
NVTFS9D6P04M8L
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
13A（Ta），64A（Tc）
- 描述：
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
DFN8(3x3) |
7350 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA/ |
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ON |
2101+ |
WDFN-8 |
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ON |
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ON |
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ON/安森美 |
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ON |
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ON(安森美) |
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