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NVMFS5H600NLT3G	文件：196.51 Kbytes Page：8 Pages	丝印：5H600L；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single N-Channel, DFN5/DFNW5 60 V, 1.3 m, 250 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：196.51 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5H600NLT3G	文件：86.28 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：86.28 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVP1004MX	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP208	NEXTCHIP 上传：深圳市柯尔基电子有限公司	NEXTCHIP
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