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NVMFS5C645NLWFAFT1G	文件：124.87 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：124.87 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C645NLWFT1G	文件：124.87 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：124.87 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C645NLWFT1G	文件：85.17 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 2 Amps, 12 Volts 文件：85.17 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C645NLWFT3G	文件：124.87 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：124.87 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C645NLWFT3G	文件：85.17 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 2 Amps, 12 Volts 文件：85.17 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C645N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，60V，92A，4.6mΩ Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low QG and Gate capacitance\n• Minimize Switching Losses\n• Industry standard Small Footprint (5x6 mm)\n• Compact Design and Standard footprint for direct drop-in\n• NVMFS5C604NWF − Wettable Flank Option\n• Enhanced Optical Inspection\n• AEC−Q101 Qualif;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
20
PD Max (W)：
79
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
20.4
Ciss Typ (pF)：
1500
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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