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NVMFS5C638NL	文件：185 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single N-Channel 文件：185 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C638NLT1G	文件：185 Kbytes Page：7 Pages	丝印：5C638L；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single N-Channel 文件：185 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C638NLWFT1G	文件：185 Kbytes Page：7 Pages	丝印：638LWF；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single N-Channel 文件：185 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C638NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET 60 V，133 A，3.0 mΩ Automotive Power MOSFET in a 5 x 6 mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Industry Standard Small Footprint 5 x 6 mm Package\n• Compact Design and Standard footprint for direct drop-in\n• Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low QG and Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• NVMFS5C638NLWF − Wettable Flank Option\n• Enhanced Optical Inspection\n• AEC−Q101 Quali;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
125
PD Max (W)：
100
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
4.4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.2
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
18.2
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
42
Ciss Typ (pF)：
3128
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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更多NVMFS5C638NL供应商更新时间2025-10-12 16:42:00

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