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NVMFS5C456N	文件：190.63 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 4.5 m, 80 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS5C456NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and 文件：190.63 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C456NT1G	文件：190.63 Kbytes Page：7 Pages	丝印：5C456N；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 4.5 m, 80 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS5C456NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and 文件：190.63 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C456NWFT1G	文件：190.63 Kbytes Page：7 Pages	丝印：456NWF；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 4.5 m, 80 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS5C456NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and 文件：190.63 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C456NL	文件：127.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.05 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C456NLAFT1G	文件：127.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.05 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C456NLT1G	文件：127.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.05 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NVMFS5C456NLWFAFT1G	文件：127.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.05 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C456NLWFT1G	文件：127.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.05 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C456NLWFT3G	文件：127.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.05 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3.5
ID Max (A)：
78
PD Max (W)：
55
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
17
Ciss Typ (pF)：
1150
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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更多NVMFS5C456N供应商更新时间2025-12-5 15:01:00

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