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NVMFS5C442NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，130A，2.5mΩ; • Small Footprint (5x6 mm)\n• Compact Design\n• Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low QG and Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• NVMFS5C442NLWF − Wettable Flank Option\n• Enhanced Optical\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• Automotive qualified\n• RoHS Compliant\n; Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS5C442NL	文件：79.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
126
PD Max (W)：
83
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
3.7
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
16
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
50
Ciss Typ (pF)：
3100
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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更多NVMFS5C442NL供应商更新时间2025-7-29 15:01:00

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