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NVMFS5C442NL	文件：79.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：79.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C442NLAFT1G	文件：79.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：79.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C442NLT1G	文件：79.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：79.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C442NLT3G	文件：79.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：79.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C442NLWFAFT1G	文件：79.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：79.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C442NLWFT1G	文件：79.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：79.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C442NLWFT3G	文件：79.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：79.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C442NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，130A，2.5mΩ Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Small Footprint (5x6 mm)\n• Compact Design\n• Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low QG and Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• NVMFS5C442NLWF − Wettable Flank Option\n• Enhanced Optical\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• Automotive qualified\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
126
PD Max (W)：
83
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
3.7
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
16
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
50
Ciss Typ (pF)：
3100
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NVMFS5C442NL供应商更新时间2025-12-8 15:02:00

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