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NVMFS5C426NT3G	文件：123.88 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：123.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C426NWFAFT1G	文件：123.88 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：123.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C426NWFT1G	文件：123.88 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：123.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C426NWFT1G	文件：82.15 Kbytes Page：6 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：82.15 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C426NWFT3G	文件：123.88 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：123.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C426NWFT3G	文件：82.15 Kbytes Page：6 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：82.15 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C426N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，235A，1.3mΩ Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Small Footprint (5x6 mm)\n• Low RDS(on)\n• Low QG and Capacitance\n• NVMFS5C426NWF − Wettable Flank Option\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C426NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，40 V，237 A，1.2 mΩ Automotive Power MOSFET in a 5 x 6 mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Small Footprint (5 x 6 mm)\n• Compact Design\n• Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low Qg and Capacitance\n• Minimize Driver losses\n• Wettable Flank Option\n• Enhanced Optical Inspection\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• Automotive Qualified\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C426NWFET1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：T6-40V N 1.3 MOHMS SL	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3.5
ID Max (A)：
235
PD Max (W)：
128
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
65
Ciss Typ (pF)：
4300
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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深圳市安富世纪电子有限公司	NVMFS5C426NWFT1G	ON	23+	SO-FL-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

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