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NVMFS5844NL	文件：117.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel 文件：117.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5844NL	文件：111.41 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel 文件：111.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5844NLT1G	文件：111.41 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel 文件：111.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5844NLT1G	文件：117.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel 文件：117.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5844NLT3G	文件：117.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel 文件：117.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NVMFS5844NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，单 N 沟道，逻辑电平，60 V，61 A，12 mΩ 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。 • Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance\n• Reduced Input Losses\n• Optimized Gate Charge\n• Reduced Switching Losses\n• NVMFS5844NLWF − Wettable Flanks Product\n• Enhanced Optical Inspection\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• Suitable for Automotive Application\n• RoHS ;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.3
ID Max (A)：
61
PD Max (W)：
107
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
16
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
12
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
15
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
30
Ciss Typ (pF)：
1460
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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