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NVMFS4C302N中文资料Single N−Channel Logic Level Power MOSFET 30 V, 241 A, 1.15 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVMFS4C302N

功能描述

Single N−Channel Logic Level Power MOSFET 30 V, 241 A, 1.15 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-8 18:07:00

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NVMFS4C302N规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm)
• Low RDS(on)
• Low QG and Capacitance
• NVMFS4C302NWF − Wettable Flanks Option
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• RoHS Compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :NVMFS4C302N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :241

  • PD Max (W)

    :115

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :N/A

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.15

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :37

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :82

  • Ciss Typ (pF)

    :5780

  • Package Type

    :SO-8FL/DFN-5

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