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NVMFD5C478NLT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NVMFD5C478NLT1G

功能描述

Power MOSFET 40 V, 14.5 m, 29 A, Dual N?묬hannel

丝印标识

5C478L

封装外壳

DFN8

文件大小

179.95 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 23:00:00

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NVMFD5C478NLT1G规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (5 x 6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFD5C478NLWF − Wettable Flanks Product

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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