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NVMFD5873NL	文件：82.64 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：82.64 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5873NL	文件：127.9 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 13 m, 58 A, Dual N.Channel Logic Level, Dual SO.8FL 文件：127.9 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5873NL_14	文件：82.64 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：82.64 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5873NLT1G	文件：82.64 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：82.64 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5873NLT1G	文件：127.9 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 13 m, 58 A, Dual N.Channel Logic Level, Dual SO.8FL 文件：127.9 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5873NLWF	文件：127.9 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 13 m, 58 A, Dual N.Channel Logic Level, Dual SO.8FL 文件：127.9 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5873NLWFT1G	文件：127.9 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 13 m, 58 A, Dual N.Channel Logic Level, Dual SO.8FL 文件：127.9 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5873NLWFT1G	文件：82.64 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：82.64 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5873NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，60V，58A，13 mΩ，双 N 沟道，SO8-FL，逻辑电平适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。 • Low RDS(on)\n• Low Capacitance\n• Low gate charge\n• AEC-Q101 Qualified\n• Devices are Pb free, Halogen free, and BFR free\n• 5 x 6 x 1 mm Dual SO-8FL package\n• Smaller PC boards and modules;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5873NLT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
58
PD Max (W)：
107
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
16.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
13
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
16.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
30.5
Ciss Typ (pF)：
1560
Package Type：
SO-8FL Dual/DFN-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NVMFD5873NL供应商更新时间2026-1-25 14:02:00

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