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NVMFD5489NL	文件：87.94 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：87.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5489NLT1G	文件：87.94 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：87.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5489NLT3G	文件：87.94 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：87.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5489NLWFT1G	文件：87.94 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：87.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5489NLWFT3G	文件：87.94 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：87.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5489NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，逻辑电平，功率 MOSFET，60V，12A，65mΩ Power MOSFET\n60 V, 65 m\u0002, 12 A, Dual N−Ch Logic Level • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs\n• Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• 175°C Operating Temperature\n• NVMFD5489NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
12
PD Max (W)：
23.4
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
5.9
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
12.4
Ciss Typ (pF)：
330
Package Type：
SO-8FL Dual/DFN-8

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更多NVMFD5489NL供应商更新时间2025-12-8 14:02:00

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