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NVLUS4C12N

Single N-Channel Power MOSFET

文件:89.56 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVLUS4C12NTAG

Single N-Channel Power MOSFET

文件:89.56 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVLUS4C12N

单 N 沟道,µCool™ 功率 MOSFET,30V,10.7A,9mΩ

功率 MOSFET,30 V,10.7 A,单 N 沟道,2.0x2.0x0.55 mm,µCool™ UDFN6 封装 • UDFN Package with Exposed Drain Pads\n• Ultra Low RDS(on)\n• Low Capacitance\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

SMF4C12CAH

SMF4C Series Transient Voltage Suppressor Diodes

Features n Low profile (height 0.9 mm) n Unidirectional / bidirectional configuration n Power dissipation: 400 watts n RoHS compliant*and halogen-free**

文件:601.32 Kbytes 页数:4 Pages

Bourns

伯恩斯

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.1

  • ID Max (A):

    10.7

  • PD Max (W):

    0.63

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    12

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    9

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    8.4

  • Ciss Typ (pF):

    1172

  • Package Type:

    UDFN-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NVLUS4C12N供应商 更新时间2025-12-5 14:01:00