首页>NVJS3151P>规格书详情

NVJS3151P中文资料单 P 沟道 ESD 保护的沟槽功率 MOSFET -12V,-3.3A,60mΩ数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

NVJS3151P

功能描述

单 P 沟道 ESD 保护的沟槽功率 MOSFET -12V,-3.3A,60mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 15:50:00

人工找货

NVJS3151P价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NVJS3151P规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. Power MOSFET -12V, -3.3A, 60 mΩ, Single P-Channel, SC-88 with ESD Protection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
• SC−88 Small Outline (2x2 mm, SC70−6 Equivalent)
• Gate Diodes for ESD Protection
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• RoHS Compliant

应用 Application

• High Side Load Switch
• Automotive Infotainment modules

技术参数

  • 制造商编号

    :NVJS3151P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Single P−Channel ESD Protected Trench Power MOSFET -12V

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-12

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.2

  • ID Max (A)

    :-3.3

  • PD Max (W)

    :0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :67

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :45

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.75

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8.6

  • Ciss Typ (pF)

    :850

  • Package Type

    :SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
SOT363
20000
询价
ON
23+
SOT363
3000
正规渠道,只有原装!
询价
ON/安森美
23+
SOT-363
41186
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
ON/安森美
22+
SC-88
18000
原装正品
询价
ON/安森美
24+
SOT-363
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
ON/安森美
新年份
SC70-6
3000
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON Semiconductor
23+
6TSSOP SC88 SOT363
9000
原装正品,支持实单
询价
ON Semiconductor
2022+
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
ON Semiconductor
23+
6TSSOP SC88 SOT363
8000
只做原装现货
询价