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NVHL025N65S3	文件：409.38 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NVHL025N65S3；Package：TO-247-3LD；MOSFET ??Power, N-Channel, Automotive SUPERFET III, Easy-drive 650 V, 75 A, 25 m Description SuperFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss prov 文件：409.38 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVHL025N65S3	文件：367.27 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NVHL025N65S3；Package：TO-247-3LD；MOSFET – Power, N-Channel, Automotive SUPERFET III, Easy-drive 650 V, 75 A, 25 m Description SuperFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss prov 文件：367.27 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVHL025N65S3	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V，75 A，25 mΩ，TO-247 SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high\nvoltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge\nbalance technology for outstanding low on−resistance and lower gate\ncharge performance. This advanced technology is tailored to minimize\nconduction loss, provide superior s • 700 V @ TJ = 150°C\n• Higher system reliability at low temperature operation\n• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 222 nC)\n• Lower switching loss\n• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1980 pF)\n• Lower switching loss\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• AEC−Q101 Qualified and ;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVHL025N65S3_V01	文件：367.27 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET – Power, N-Channel, Automotive SUPERFET III, Easy-drive 650 V, 75 A, 25 m Description SuperFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss prov 文件：367.27 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
650
VGS Max (V)：
30
VGS(th) Max (V)：
4.5
ID Max (A)：
75
PD Max (W)：
595
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
25
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
236
Ciss Typ (pF)：
7330
Package Type：
TO-247-3LD

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